主要规格及技术指标 | 二次电子图像分辨率为1.0 nm(15kV),2.0 nm(1kV),1.4 nm (1kV,减速模式);配备半导体背散射探头,背散射电子图像分辨率为3.5 nm(30KV),灵敏度达0.1Z;加速电压0.5~30kV,0.1kV/步;放大倍率为×20~×800,000;最大样品直径为50 mm,高度25 mm。配备50mm2 SDD硅漂移晶体X射线能谱探测器,分析元素范围为Be4-U92;分辨率为:MnK?优于129 eV (计数率为20000cps),CK?优于60 eV (计数率为20000cps),FK?优于65 eV(计数率为20000cps),计数率可达1000~50000CPS,平均元素定量误差小于0.5%。 |
主要功能及特色 | 对金属材料、非金属材料(包括水泥、混凝土、陶瓷、无机盐类、氧化物、锂电池或镍氢电池材料等)、高分子聚合物等试样的表面形貌进行观察照相,尤其适合对纳米材料的微观组织及形貌进行观察分析;X射线能谱仪可对材料进行微区成份分析。 |
主要附件及配置 | 无 |